Перегляд за автором "Шварц, Ю.М."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Диодный сенсор температуры: анализ приборной погрешности измерения 
    Иващенко, А.Н.; Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Исследование влияния составляющих погрешности измерения, связанных с используемой вторичной аппаратурой, позволило достичь прецизионной точности кремниевых диодных сенсоров температуры.
  • Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа 
    Краснов, В.А.; Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М.; Копко, Д.П.; Ерохин, С.Ю.; Фонкич, А.М.; Шутов, С.В.; Сыпко, Н.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.
  • Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники 
    Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Физически обоснованы и реализованы кремниевые диодные сенсоры температуры с оптимизированными характеристиками. Сенсоры применены в ракетно-космической технике и атомной энергетике.
  • Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора 
    Шварц, Ю.М.; Яганов, П.А.; Дзюба, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Впервые предложен нейросетевой алгоритм обработки экспериментальных данных, что позволило повысить точность аппроксимации до 1,5 мК в диапазоне температур 4,2—357 К.
  • Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков 
    Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М.; Иващенко, А.Н.; Босый, В.И.; Максименко, А.Г.; Сапон, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое ...